高端製造创新 中芯拓新天地

　　随着“摩尔定律”逐渐逼近物理极限，高端芯片设计、製造中芯製造、创新材料等方面都可能面临巨大变革。拓新天地

　　先进製程封装 技术酝酿换代

　　昆山玛冀电子有限公司董事长赵宜泰指出，高端目前芯片製造工艺正面临调整，製造中芯例如台积电计劃採用新型3D堆叠技术，创新垂直与水平进行芯片封装，拓新天地可将处理器、高端内存和传感器等几种不同类型芯片堆叠和连接在一起。製造中芯“这种先进製程封装代表一个新的创新时代开始。”赵宜泰认为，拓新天地这意味着芯片设计製造不一定要照原有方式，高端不断追求元器件极小化和数量极大化，製造中芯而是创新可以採用堆叠式、异构型，把原来分离的不同功能的芯片堆叠在一起，使芯片性能大幅提升。

　　今年12月初，中芯国际透露，其第二代FinFET N+1芯片可望於2020年底小批量试产。该芯片被视为国产準7纳米芯片，整套工艺均採用全国产设备和技术完成，是破除国外技术封锁的一次跨越式发展。

　　此前，在7纳米以下芯片生产中，EUV光刻机被视为不可缺少的设备，目前全球仅有荷兰光刻机巨头ASML能生产这一高端装备。早在2018年，中芯国际即向ASML订购一台价值约1.2亿美元的EUV光刻机，但受美国禁令影响至今尚未交货。N＋1工艺最大的特点就是不需要EUV光刻机，这是中芯国际在高端晶片製造技术上的一次创新性突破。在此基础上，中芯国际计劃於2021年推出N＋2工艺，以满足高性能应用的需求。